本发明公开了一种自适应电磁脉冲屏蔽薄膜制备方法、所制得的薄膜及应用,涉及电磁屏蔽材料领域。步骤如下:取AgNWs加入乙醇、水和氨水得溶液E;将TEOS加入乙醇中并滴加入溶液E中,室温反应20‑30h得溶液F;将溶液F超声离心,取沉淀,洗涤得AgNWs@SiO
2;取PVA和水,搅拌,加热至85‑95℃,搅拌至PVA完全溶解得到溶液G;取AgNWs@SiO
2加入到溶液G,温度60‑70℃,搅拌10‑15h得到
复合材料流体,进行流延成膜,待溶剂挥发后得到自适应电磁脉冲屏蔽薄膜;其中,AgNWs和TEOS的质量比为15‑25:1;PVA聚合度为1700,醇解度为99%;PVA和AgNWs@SiO
2的质量比为100:40‑120。本方法工艺简单,成本低,反应时间短,易于大量制备;制得的薄膜分布均匀,分散性较好,无团聚,可应用于自适应电磁脉冲防护领域。
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“自适应电磁脉冲屏蔽薄膜制备方法、所制得的薄膜及应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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