本发明公开了一种提高
多晶硅太阳能电池光电转换效率的方法,包括以下步骤,在具有PN结的多晶硅基片上进行刻蚀,得到周期性结构的刻蚀坑,刻蚀坑穿过PN结,形成周期性结构的孔洞;在孔洞中填充相变
储能材料;将填充相变
储能材料的多晶硅基片与透明导电玻璃组装成太阳能电池。多晶硅基片(6)使用HF水溶液或等离子体刻蚀,孔洞深度10~100μm,孔径5~20μm,相变储能材料(3)为相变温度25~40℃石蜡、月桂酸–葵酸二元
复合材料或分子量2000以上多元醇中的一种。本发明优点:制备工艺简便、经济合理、电池温度恒定、提高电池的光电转换效率。
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