抗干扰薄膜混合集成电路的集成方法,是将金属与陶瓷的
复合材料用作管基和管帽材料,以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽要求,具体的集成方法是:在预先烧结成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面,采用涂覆金属浆料烧结或化学电镀的方式生长所需金属层,再进行半导体集成电路
芯片和片式元器件的装贴、引线键合和封帽;这样,管基和管帽用陶瓷材料和金属材料二者有机结合,即实现从低频到高频的电磁屏蔽,使封装内外电磁环境达到良好的隔离,从而实现提高薄膜混合集成电路抗干扰能力的目的。用本方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域,特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。
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