本发明属于超级电容器电极材料的制备技术领域,提供一种以三维
石墨烯泡沫为基底的钼酸钴纳米片阵列超级电容器电极材料及其制备方法和应用,分别以泡沫镍和甲烷为基底和碳源,通过化学气相沉积法在泡沫镍表面负载石墨烯,盐酸刻蚀镍得到石墨烯泡沫;以石墨烯泡沫为基底,硝酸钴,钼酸钠和水配制得到前驱体溶液,将石墨烯泡沫与前驱体溶液混合进行水热反应即得3D‑graphene@CoMoO
4纳米片阵列
复合材料。本发明制备方法简单,成本低;CoMoO
4纳米片通过水热直接生长在石墨烯泡沫基底上,有效地避免了粘结剂的使用;通过控制前驱体溶液的浓度控制材料的形貌;制得的复合电极材料具有高的比电容和良好的循环稳定性。
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“三维石墨烯泡沫为基底的钼酸钴纳米片阵列电极材料及其制备方法和应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)