本发明涉及半导体封装技术领域,尤其涉及一种IGBT电气单元封装件。本发明提供的IGBT电气单元封装件包括:散热底板、外壳、盖板和IGBT电气单元,本发明中散热底板采用52%‑58%体积分数的AlSiC
复合材料,IGBT电气单元封装件采用AlN陶瓷直接覆铜基板,绝缘栅双极型晶体管
芯片、二极管芯片与陶瓷直接覆铜基板之间连接采用纳米Ag焊膏低压烧结工艺。本发明中的IGBT电气单元封装件采用具有高气密性的封装结构,保证该IGBT电气单元封装件在高海拔应用场景如安装在运输机、战斗机上时,不会发生由于气压降低导致IGBT电气单元封装件内部耐压能力下降的情况,保证IGBT电气单元封装件的可靠性。
声明:
“IGBT电气单元封装件” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)