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使用了包含硫原子的气体分子的等离子体蚀刻方法

891   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 17:20:40
提供一种等离子体蚀刻方法,其在半导体制造工艺中,可以对掩模材料选择性地加工由SiO2、SiN之类的单独的材料、或SiO2、SiN的复合材料形成的膜,而且加工时得到良好的垂直加工形状。将包含通式(1):Rf1‑S‑Rf2(1)(式中,Rf1为CxHyFz所示的一价的有机基团,Rf2为CaHbFc所示的一价的有机基团)式(1)所示的具有硫醚骨架的气体化合物的混合气体、或将单独进行等离子体化,对由SiO2、SiN之类的单独的材料、或复合材料形成的膜进行蚀刻,从而与使用通常的氢氟碳气体的情况相比,氟原子的含量少,而且包含硫原子的保护膜沉积,从而可以实现改善与掩模材料、其它非蚀刻对象材料的选择性、降低对侧壁的损伤、抑制向横向的蚀刻等。
声明:
“使用了包含硫原子的气体分子的等离子体蚀刻方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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