本发明涉及一种纳米晶粒二氧化锡的电子束制备方法,可实现材料和结构的定区域定尺寸加工制备,属于金属氧化物材料制备和半导体器件制造工艺技术领域。该方法以纯锡为原材料,通过电子束辐照氧化的物理机制,制备出纳米晶粒的二氧化锡材料或含有二氧化锡的
复合材料以及含有上述材料组织的特殊结构,其中二氧化锡的晶粒尺寸分布可达3~15nm。本发明基于电子束与材料的物理交互作用,不同于以往的化学合成方法,制备过程简单,可控性强,可实现在微小特定区域内二氧化锡
纳米材料及复合材料的制备,亦可实现含二氧化锡的特殊结构的制造,为二氧化锡材料合成和微型器件制造提供切实可行的方法,解决现有化学技术方法中存在的工艺复杂、杂质残留等问题。
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