一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制备方法,属于辐射防护材料领域。本发明解决目前的高低Z交替叠层的涂层工艺复杂,需要进行多次涂覆并干燥,耗时较长且防护能力有限的问题;也无法实现具有柔性的技术问题。本发明由MAX相陶瓷基体,经过刻蚀后,得到层状结构的Ti3C2Tx材料,然后通过原子层沉积技术将高Z金属沉积到Mxene层状结构中得到
复合材料,再将复合材料与树脂基体进行混合后涂覆于SOI器件表面,即得到辐射防护涂层。本发明的材料可用于生活中的防辐射服、医疗方面及核反应中所需的和防护领域。
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