本发明提供一种拓扑
储能材料及其制备方法,包括:拓扑绝缘体、高容量
储能材料以及包覆在前面两种材料外层的包覆材料,高容量储能材料是指比容量>500mAh/g的电池
负极材料;拓扑绝缘体包括Bi2Se3、SnSe2、Sb2Te3、Bi2Te3中至少一种,高容量储能材料选自Sn、SnSe2、Sn的氧化物中至少一种,包覆材料选自石墨、
石墨烯、
碳纳米管、
硬碳、软碳中至少一种;本发明结合拓扑绝缘体表面极好的电子传导能力和锡基材料的高比能特性,开发了具有优良倍率性能的复合
纳米材料,并使用少量石墨对
复合材料进行包覆,改善其充放电过程中由于体积变化带来的容量衰减,使材料拥有更好的
电化学性能。
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