一种垂直基底生长的环糊精插层水滑石薄膜及其制备方法,属于有机-无机
复合材料及其制备技术领域。插层水滑石的化学式为:[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2x+(CMCDn-)x/n·mH2O。制备方法先将铝片在恒电压条件下阳极氧化;再分别称取二价金属盐,阴离子修饰的环糊精和NH4NO3溶解于去离子水中配成反应合成液,再用氨水调节反应合成液的pH在5.9~8.5之间。将阳极
氧化铝/铝基片垂直悬吊在上述反应合成液中,在一定温度下反应一定时间制得环糊精插层水滑石膜。优点在于:利用原位生长技术得到的环糊精插层水滑石薄膜固定于铝基底上,实现了水滑石的固定化和器件化,且得到的水滑石具有一定的机械强度,这将极大方便环糊精插层水滑石材料在生产生活中的应用。
声明:
“垂直基底生长的环糊精插层水滑石薄膜及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)