本发明公开了一种银掺杂的硅和二碲化钨复合
负极材料的制备方法,包括如下步骤:S1、将四氯化碲与离子液体混匀,在惰性气体氛围中,加热至溶液呈亮黄色,然后加入四氯化钨混匀得到前驱体溶液;S2、将前驱体溶液置于硅基底表面,微波辐照,粉碎,除磁得到
复合材料;S3、将复合材料均匀分散于有机溶剂中,加入硝酸银混匀,然后进行还原反应得到银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料。本发明还公开了一种银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料及其应用。本发明制备硅和二碲化钨复合材料,改善硅材料体积膨胀和导电性差的问题,并结合银掺杂在提升材料导电性能的同时,改善二碲化钨二维结构循环过程中结构容易崩塌的问题,优化材料整体的
电化学性能。
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“银掺杂的硅和二碲化钨复合负极材料及其制备方法、应用” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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