本公开涉及一种
复合材料,该复合材料可以包括第一反应烧结碳化硅(第一RB‑SiC)材料的衬底以及结合至该衬底的表面的反应烧结含金刚石碳化硅(RB‑DSiC)层。在一些方面,RB‑DSiC层包括与第二反应烧结碳化硅(第二RB‑SiC)材料结合的金刚石颗粒。金刚石颗粒可以均匀地分布在整个第二RB‑SiC中或仅分布在第二RB‑SiC的表面处。金刚石颗粒可以呈有序图案或无序图案。例如,CMP修整盘可以包括根据实施方式中的一个实施方式的复合材料。
声明:
“具有含金刚石颗粒的反应烧结碳化硅的陶瓷衬底” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)