本实用新型公开了一种铝碳化硅
复合材料制备的IGBT基板,所述IGBT基板包括焊接面和散热面,所述焊接面为平面结构,所述散热面为拱形结构,所述焊接面和散热面均为
铝合金层(2),所述焊接面和散热面之间包括AlSiC层(1),所述焊接面、AlSiC层(1)和散热面为一体结构;所述IGBT基板的两侧还包括半导体制冷片(5),所述半导体制冷片(5)的制冷端与所述IGBT基板的两侧贴合。本实用新型所述IGBT基板具有较高的热导率和与IGBT封装材料相匹配的热膨胀系数,散热速度快。
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