本发明公开了一种无机
钙钛矿厚膜
复合材料半导体器件及其制备方法,能达到能够进行连续生长,制备出尺寸大、结晶度好的钙钛矿多晶厚膜的X‑ray探测器,其结构为透明玻璃/CsPbBr
3钙钛矿多晶厚膜/Au电极的全无机钙钛矿平面型半导体探测器。我们制作的探测器厚度较厚,具有较高的开关比,较快的响应速度以及优异的水氧稳定性。该半导体探测器的制备方法步骤简单,成本低,过程低温可控,且所制备的CsPbBr
3材料耐湿耐热性优异,并将此方法运用于大规模商业生产,具有显著的产业化推广价值。
声明:
“无机钙钛矿厚膜复合材料半导体器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)