本发明公开了一种氮化硅基
复合材料,包括氮化硅基陶瓷介质板和铜箔,所述铜箔位于氮化硅基陶瓷介质板外表面上,本发明通过Si3N4陶瓷片的表面预处理技术实现Si3N4陶瓷介质板与铜箔界面特性的优化,获得具有优良力/热/电综合性能的Si3N4陶瓷DBC基板,其兼具有高强度与高热导率的特性,具有良好的介电性能,能够有效减少信号传输的功率损耗,线性膨胀系数与硅接近,作为电子封装材料能够有效保证封装的可靠性等优点。
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