本发明属于
纳米材料技术领域,具体为一种限域界面定向锚定Pt单原子于N‑AC
1/N‑AC
2复合材料的方法。制备步骤包括:改性SiO
2与酸化g‑C
3N
4结合,制备g‑C
3N
4/SiO
2;g‑C
3N
4/SiO
2与盐酸多巴胺反应,制备PDA/g‑C
3N
4/SiO
2复合材料;惰性气体下煅烧;酸/碱除去SiO
2,制备N‑AC
1/N‑AC
2空心球;负载铂单原子。本发明巧妙的利用限域界面、较低温定向锚定单原子技术,避免了常规方法中单原子的聚集失活现象的发生,提高了贵金属的利用率,提升了材料性能。本发明工艺安全、操作简单,可大幅降低生产成本,对环境几乎没有污染,便于大规模应用。
声明:
“限域界面定向锚定Pt单原子于N-AC1/N-AC2复合材料的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)