本发明公开了一种制备Diamond/SiC
复合材料的方法,包括如下步骤:1)制备金刚石预制体:将金刚石、石墨、硅粉、粘结剂按质量比混合均匀并压制生坯,将生坯在1000‑1200℃保护气氛下碳化得金刚石预制体;2)制备Diamond/SiC复合材料:将金刚石预制体置于氮化硅粉末上,于1500‑1700℃真空炉中充分反应1‑2h即得Diamond/SiC复合材料。本发明有效的避免了过量硅粉对样品的粘连,便于后续样品处理。
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