本发明公开了一种NiS/rGO
复合材料及其制备方法与在气敏材料中的应用。本发明在磁场辅助下经高温水浴制备出Ni纳米线,经高温退火制得NiO纳米线,通过离子交换反应制备出NiS纳米线,并将其与GO进行复合,经高温还原构筑出基于NiS/rGO复合材料的多级异质结构,并制成气体传感器,在常温下探究了器件对NO2气体的气敏响应特性。硫化镍(NiS)/还原氧化
石墨烯(rGO)复合材料气体传感器遵循表面电荷控制模型,还原氧化石墨烯与金属硫化物形成的复合材料整体呈现半导体特性,电子被捕获使得材料中电子浓度降低,空穴浓度增加,为空穴导电类型,因此传感器的电导率增加,电阻减小。
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