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金属型二硫化钼量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料及其制备方法

840   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:47:02
本发明属于纳米材料制备的技术领域,具体涉及一种金属型二硫化钼量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料及其制备方法。制备方法包括:(1)采用手动研磨法将大尺寸半导体型MoS2块体研磨得到半导体型MoS2粉末;(2)对半导体型MoS2粉末进行锂插层处理;(3)将锂插层处理后的半导体型MoS2粉末分散在溶剂中,并进行超声处理,离心分离,得到金属型MoS2量子点溶液;(4)将TiN纳米管阵列置于金属型MoS2量子点溶液中,然后依次进行超声处理、浸泡、干燥,得金属型MoS2量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料。本发明的金属型MoS2量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料具有优异的电催化性能和稳定性。
声明:
“金属型二硫化钼量子点修饰的TiN纳米管阵列复合材料及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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