本发明是一种陶瓷基
复合材料表面打底层的制备方法,利用料浆法结合碳化硅原位反应工艺的组合式方法实现复合材料表面平整,再配合低压化学气相沉积工艺制备SiC/SiC和C/SiC复合材料用环境障涂层的富硅碳化硅打底层。该方法的优点是:1)能够根据不同表面缺陷的特点调节浆料前驱体中各组分配比以得到合适的粘度,从而达到较好的缺陷填充效果;2)通过高温裂解工艺实现修复浆料与复合材料的一体化反应;3)采用低压化学气相沉积工艺在复合材料表面得到富硅的碳化硅打底层,提高了环境障涂层的质量,延长了环境障涂层的寿命;4)同时由于复材表面沉积了富硅的碳化硅涂层,既提高了复合材料的耐温性和抗高温氧化性,又增强了环境障涂层与复材基体的粘结强度,还改善了环境障涂层与复材基体的热膨胀匹配。
声明:
“陶瓷基复合材料表面打底层的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)