本发明公开了一种聚吡咯/纳米氧化锡锑/凹凸棒土导电
复合材料的制备方法,其包括纳米氧化锡锑前驱体凝胶的制备,纳米氧化锡锑/凹凸棒土复合材料的制备,聚吡咯/纳米氧化锡锑/凹凸棒土导电复合材料的制备。本发明先以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,采用溶胶‑凝胶法在凹凸棒土表面包覆了纳米氧化锡锑形成的内导电层,再以十二烷基磺酸钠为掺杂剂、过硫酸铵为氧化剂,在纳米氧化锡锑/凹凸棒土复合材料的悬浮体系中进行吡咯的化学氧化聚合,在纳米氧化锡锑/凹凸棒土复合材料表面包覆了聚吡咯形成的外导电层,使制得的导电复合材料不仅具有较高的电导率和机械强度,还具有优良的热稳定性、抗氧化性、耐候性、机械延展性和加工性。
声明:
“聚吡咯/纳米氧化锡锑/凹凸棒土导电复合材料的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)