本发明公开了一种高介电高
储能的二维片状钛酸锶
复合材料及制备方法。介电复合材料制备中,高体积分数无机物粒子的加入,会导致聚合物的机械性能和击穿强度大幅度降低。所述的复合材料是由片状钛酸锶和PVDF基聚合物组成的;钛酸锶纳米片在复合材料中的质量分数为1~30%,钛酸锶纳米片的粉体片径为0.1~10μm,厚度为10~100nm;所述的PVDF基聚合物包含聚偏氟乙烯PVDF和基于PVDF的P(VDF‑CTFE)、P(VDF‑HFP)、P(VDF‑TrFE)、P(VDF‑CTFE‑TrFE)。本发明使用二维片状钛酸锶作为无机添加粒子,可以有效降低添加物的含量,避免高含量无机粒子添加导致的机械性能和击穿强度的下降。
声明:
“高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)