本发明公开了一种CQDs‑MoS
2‑ZnS
复合材料、制备方法及应用,CQDs‑MoS2‑ZnS复合材料,所述的复合材料通过水热反应将CQDs掺入MoS
2‑ZnS复合物中;所述的MoS
2‑ZnS复合物为球状的片簇,MoS
2‑ZnS复合物的球状直径为2μm,片簇中片体的厚度为50nm。具体地,CQDs‑MoS
2‑ZnS的电容为2899.5F g
‑1,而MoS
2‑ZnS复合物,单一MoS
2和单一的ZnS的电容依次为2176.1F g
‑1,1067.6F g
‑1和423.4F g
‑1。此外,循环了1000圈后,CQDs‑MoS
2‑ZnS的电容保持了初始电容的84%,这说明该电极材料具有优异的循环稳定性。这些结果表明CQD‑MoS
2‑ZnS复合电极在超级电容器中的巨大应用潜力。该研究也为后续研究掺杂少量CQDs来改善其他电极材料的性能提供了重要的参考。
声明:
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我是此专利(论文)的发明人(作者)