本发明涉及金属陶瓷
复合材料领域,公开了一种多孔碳化硅预制体和Al-SiC复合材料及它们的制备方法。其中,该多孔碳化硅预制体包括SiC基体以及分散在所述SiC基体比表面上的Si3N4相,以多孔碳化硅预制体的总重量100wt%为基准,所述多孔碳化硅预制体中Si3N4相的含量为0.6-2.0重量%。在本发明中通过在多孔碳化硅预制体中形成Si3N4相,在使用形成有Si3N4相的这种碳化硅坯体通过真空压力浸渗工艺与铝复合时,Si3N4相会优选与AL金属反应生成AlN相,减少了Al4C3相的生成,进而有利于提高所制备的Al-SiC复合材料的导热性能和力学性能。
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“多孔碳化硅预制体和Al-SiC复合材料及它们的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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