本发明提供了一种AlN‑W‑Cu
复合材料以及制备该AlN‑W‑Cu复合材料的方法。基于100wt%的复合材料的总重量,AlN的含量为1wt%~20wt%;W的含量为50wt%~85wt%;以及Cu的含量为10wt%~35wt%。所述AlN‑W‑Cu复合材料具有Cu填充在多孔W‑AlN骨架中的结构。本发明所述的AlN‑W‑Cu复合材料克服传统的W‑Cu复合材料因高密度影响其加工和应用的缺点,使复合材料具有更宽的密度范围,提高材料的可加工性,并且满足电子元件小型化和轻量化的要求,拓宽W‑Cu复合材料的应用范围,可应用于电子封装、半导体散热片等领域。
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