一种高强度、低热膨胀的AlN纳米线和Al
复合材料,在纯度大于95%的AlN纳米线的基础上,采用过Al熔点热压的办法制备出高致密度AlN纳米线/Al复合材料,采用H2电弧法制备出平均粒径为80-120nm的Al纳米颗粒;采用Al,AlCl3,Al2O3和NH3为反应物,通过气相CVD法在石英基板上沉积出克量级的AlN纳米纤维,其为纯度高于95%的单晶AlN纳米线,直径分布在10-50nm之间,将体积组分为0~15%的AlN纳米线和Al纳米颗粒混合均匀,干燥后的混合粉热压成块体。AlN纳米线在基体中分散均匀,界面结合良好,AlN纳米线是一种优化金属基电子复合材料力性和热物性的理想增强剂,AlN纳米线和Al复合材料有望发展成为一种高强度、低热膨胀的新型电子封装材料。
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