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半导体发光微显示器件及其制造方法以及衬底剥离方法

1103   编辑：管理员   来源：中冶有色技术网  
2023-03-18 15:11:01
本发明公开半导体发光微显示器件，其外延结构由N‑GaN、有源层至P‑GaN横截面的宽度逐渐增大，透光导电层位于N‑GaN表面上，连接电极位于P‑GaN表面上，像素电极位于连接电极表面上，导电胶连接于透光导电层与像素电极之间。本发明还公开半导体发光微显示器件制造方法。本发明还公开衬底剥离方法。外延结构由N‑GaN、有源层至P‑GaN横截面的宽度逐渐增大，使得外延结构的N‑GaN与衬底的接触面积较小，减小激光剥离阈值，提升激光剥离良率。
声明：
“半导体发光微显示器件及其制造方法以及衬底剥离方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
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