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三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管器件的制备方法及其产品

665   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:11:01
本发明提供了一种制备三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管(MOSFET)器件的方法及其产品,其包括步骤:利用微纳加工技术对半导体材料进行表面处理和制备模型结构;对制备好的三维结构利用微纳加工技术进行栅介质层沉积;悬空环栅电极和悬空漏电极加工;利用聚焦离子束实现三维空间的电极互联。本发明是一种以三维结构为载体,利用各种微纳加工技术制备三维悬空环栅MOSFET的新方法。该方法具有工艺灵活、可控性好、方法新颖等特点,所制备的器件具有各向同性调控源漏之间的场效应,优秀的栅极控制,具有更小的漏端寄生电容,减少漏端电场扩散,提高器件集成密度等特点。
声明:
“三维悬空环栅结构半导体场效应晶体管器件的制备方法及其产品” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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