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PMU泵浦结构及其形成方法

777   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:10:02
本发明揭示了一种PMU泵浦结构及其形成方法。该结构包括呈镜像对称的第一部分和第二部分,所述第一部分包括:半导体基底;形成于所述半导体基底上的外延层;形成于所述外延层中的第一障碍层;形成于所述外延层上的功能层,所述功能层包括距离第二部分自远及近排列的第一P+区、第一N+区、第二P+区及第二N+区;以及位于所述功能层上的金属互连层,所述金属互连层使得第一N+区及第二P+区等电势;所述第一障碍层与功能层之间形成有外延层。通过使得第一N+区及第二P+区等电势,避免了第一N+区和第二P+区之间产生压降,防止了外延层、第一障碍层及半导体基底之间漏电流的产生。
声明:
“PMU泵浦结构及其形成方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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