本发明揭示了一种PMU泵浦结构及其形成方法。该结构包括呈镜像对称的第一部分和第二部分,所述第一部分包括:半导体基底;形成于所述半导体基底上的外延层;形成于所述外延层中的第一障碍层;形成于所述外延层上的功能层,所述功能层包括距离第二部分自远及近排列的第一P+区、第一N+区、第二P+区及第二N+区;以及位于所述功能层上的金属互连层,所述金属互连层使得第一N+区及第二P+区等电势;所述第一障碍层与功能层之间形成有外延层。通过使得第一N+区及第二P+区等电势,避免了第一N+区和第二P+区之间产生压降,防止了外延层、第一障碍层及半导体基底之间漏电流的产生。
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