本申请属于光电技术领域,尤其涉及一种p‑i‑n结构
钙钛矿基X光探测器及其制备方法。其中,p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器,包括依次叠层贴合设置的p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层,其中,所述钙钛矿活性层包含化学通式为APbZ3的卤化物钙钛矿,其中,A包括碱金属离子或者有机铵离子,Z包括至少一种卤素。本申请提供的p‑i‑n结构钙钛矿基X光探测器,通过p型功能层、钙钛矿活性层和n型功能层的协同作用,可有效抑制器件暗电流,暗电流密度≤1nA/cm2,并且使钙钛矿基X光探测器具有较高的检测灵敏度。
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