本发明属于
功能材料领域,具体涉及一种钐钽共掺的铌酸银基材料的多层介电
储能材料及制备方法,可用作脉冲电容器的电源。该材料的化学式为Ag1‑3xSmxNb1‑yTayO3,0.02≤x≤0.10,0.2≤y≤0.7,具有电场诱导反铁电‑铁电相变特征。通过流延工艺手段,获得了薄介质层厚度(1~50微米)、高致密度和小晶粒尺寸的多层介电陶瓷,有效的提升了铌酸银基陶瓷的击穿场强;同时借助Sm元素的小离子半径和异价离子掺杂引入氧空位稳定反铁电的特性及Ta元素掺杂使反铁电相M2和M3降至室温的作用,最终获得了击穿场强高达1000kV·cm‑1~1550kV·cm‑1,储能密度为10~16J·cm‑3,储能效率高达60~95%的铌酸银基多层介电
储能材料。
声明:
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