本发明公开了一种抗辐射封装加固的CMOS器件及其制备方法,属于
功能材料制备技术领域。本发明解决了现有屏蔽材料无法有效解决CMOS器件受到总剂量效应影响后导致阈值电压的绝对值增大、甚至性能失效等问题。本发明首先将
稀土金属氧化物与高Z金属材料进行复合,形成核壳结构,再将复合颗粒与树脂基体复合,涂覆于CMOS器件表面,制备成抗封装加固的辐射防护涂层。本发明制备的核壳结构复合颗粒在树脂基体中分散开后,会在微观结构上形成不同材料多层交替的结构,实现射线在材料中的交替穿透,使材料具备更好辐射屏蔽能力的同时,简化了多层交替材料的制备工艺。
声明:
“抗辐射封装加固的CMOS器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)