合肥金星智控科技股份有限公司
宣传

位置:中冶有色 >

有色技术频道 >

> 功能材料技术

> 抗辐射封装加固的CMOS器件及其制备方法

抗辐射封装加固的CMOS器件及其制备方法

1094   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:07:02
本发明公开了一种抗辐射封装加固的CMOS器件及其制备方法,属于功能材料制备技术领域。本发明解决了现有屏蔽材料无法有效解决CMOS器件受到总剂量效应影响后导致阈值电压的绝对值增大、甚至性能失效等问题。本发明首先将稀土金属氧化物与高Z金属材料进行复合,形成核壳结构,再将复合颗粒与树脂基体复合,涂覆于CMOS器件表面,制备成抗封装加固的辐射防护涂层。本发明制备的核壳结构复合颗粒在树脂基体中分散开后,会在微观结构上形成不同材料多层交替的结构,实现射线在材料中的交替穿透,使材料具备更好辐射屏蔽能力的同时,简化了多层交替材料的制备工艺。
声明:
“抗辐射封装加固的CMOS器件及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
分享 0
         
举报 0
收藏 0
反对 0
点赞 0
标签:
功能材料
全国热门有色金属技术推荐
展开更多 +

 

中冶有色技术平台微信公众号
了解更多信息请您扫码关注官方微信
中冶有色技术平台微信公众号中冶有色技术平台

最新更新技术

报名参会
更多+

报告下载

2024退役新能源器件循环利用技术交流会
推广

热门技术
更多+

衡水宏运压滤机有限公司
宣传
环磨科技控股(集团)有限公司
宣传

发布

在线客服

公众号

电话

顶部
咨询电话:
010-88793500-807
专利人/作者信息登记