本发明公开了一种掺硼金刚石刻蚀的方法,涉及新型电子材料工艺技术,采用超高真空磁控溅射镀膜机和直流电弧等离子体喷射CVD设备制备,首先采用磁控溅射法溅射镍纳米颗粒,在以镍纳米颗粒作为催化剂等离子刻蚀掺硼金刚石,制得目标产品。本发明的优点是:该多孔金刚石比较容易被加工成型,在新型电子
功能材料走向实际应用的过程中,有非常关键的作用;该制备方法工艺简单,易于实施,靶材使用率高、生产成本低,适于大规模的推广应用。
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