一种TZO‑MoO
3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备MoO
3掺杂TZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂,得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.2‑0.5at%)的MoO
3粉末掺杂,可制备出致密度超过99.9%,强度超过120MPa,电阻率小于5.0×10
‑3Ω·cm的掺杂TZO靶材,这种掺杂TZO靶材,可经济、高效的制成各种复杂形状。TZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势,在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用,是新一代透明导电膜,最有可能替代昂贵的ITO,在薄膜
太阳能电池和low‑E玻璃等领域,正显示出巨大的应用前景和市场,是一种被广泛研究的
功能材料。
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我是此专利(论文)的发明人(作者)