一种AZO‑MoO3包覆粉末的制备及其烧结方法。本发明属于非金属元素及其化合物。本发明公开了一种新的工艺来制备MoO3掺杂AZO靶材。本发明的优点在于用一种新的掺杂工艺来代替传统的球磨掺杂,得到充分混合、均匀掺杂的粉体。适用于微量(0.01‑0.1at%)的MoO3粉末掺杂,可制备出致密度超过99%,强度超过100MPa,电阻率小于8×10‑4Ω·cm的掺杂AZO靶材,这种掺杂AZO靶材,可经济、高效的制成各种复杂形状。AZO透明导电薄膜性能稳定、制备简单、成本低廉等优势,在光电学性能平板显示领域得到了极其广泛的应用,是新一代透明导电膜,最有可能替代昂贵的ITO,在薄膜
太阳能电池和low‑E玻璃等领域,正显示出巨大的应用前景和市场,是一种被广泛研究的
功能材料。
声明:
“MoO3包覆AZO粉体的制备及其烧结方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)