本发明属于电磁
功能材料技术领域,具体提供一种基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料,用以克服现有太赫兹波吸收器件吸收带宽窄、制作工艺复杂、器件稳定性差、制备成本高昂的缺陷;本发明太赫兹波宽带吸收材料包括硅纳米针阵列和硅衬底两部分,所述硅纳米针阵列由均匀分布于硅衬底上的若干个硅纳米针构成,硅纳米针垂直设置于硅衬底表面;所述硅纳米针阵列和硅衬底为同一材料,均采用n型或p型重掺杂半导体硅、其电阻率≤0.1Ω·cm。通过该硅纳米针阵列结构制作的太赫兹波吸收材料,结构简单,在0.2THz~1.2THz范围内,对太赫兹波的吸收率高达90%;采用简易金属辅助的化学刻蚀方法制备,制备工艺简单,成本低廉。
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“基于硅纳米针的太赫兹波宽带吸收材料” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)