本发明涉及纳米
功能材料制备领域,提供了一种拉伸非敏感的规则网状导体及制备方法,该方法包括:S1、通过真空辅助限域法将低维导电材料抽滤到滤膜上,形成网状图案化导体;S2、将所述网状图案化导体转移到预拉伸基底上,释放所述预拉伸基底,即得拉伸非敏感的规则网状导体。本发明制备的拉伸非敏感的规则网状导体在拉伸下可以保持电阻不变,这将极大的提高拉伸电子学器件的性能;本发明方法简单易行,易于推广;本发明使用的材料体系简单可控、制作成本低廉,拥有重大的商业价值和实用意义。
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“拉伸非敏感的规则网状导体及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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