本申请提供了一种带有插入层的多量子阱发光二极管及其制备方法,在多量子阱有源层的阱层和垒层之间加入二维
功能材料插入层,其透光性好,且能阻隔外延层生长缺陷,有效避免阱层与垒层之间因生长缺陷造成的电子空穴猝灭,降低电光转换热损耗,同时插入层避免电子溢出,提高载流子注入效率,使发光二极管亮度高,寿命长,电光转换效率高,节能环保。
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“带有插入层的多量子阱发光二极管及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
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