本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1:提供半导体衬底,所述半导体衬底包括逻辑区和有源区,所述逻辑区和所述有源区中形成有在逻辑区NMOS、有源区NMOS和有源区PMOS中去除虚拟栅极之后形成的凹槽;步骤S2:在所述凹槽中形成高K介电层;步骤S3:在所述有源区NMOS和所述有源区PMOS的所述高K介电层上形成
功能材料层,以分别作为所述有源区NMOS的第一覆盖层和所述有源区PMOS的第一功函数层;步骤S4:在所述有源区PMOS上形成第二覆盖层和第二功函数层;步骤S5:在所述逻辑区NMOS、所述有源区NMOS和所述有源区PMOS上沉积NMOS功函数层和粘结胶层;步骤S6:沉积导电材料,以覆盖所述粘结胶层同时填充所述凹槽。
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