MgxZn1-xO薄膜的双靶射频磁控共溅射制备方法属于光电
功能材料制造技术领域。已知技术需要根据所需制备的MgxZn1-xO薄膜的不同,分别制作对应x值的MgxZn1-xO陶瓷靶材,制作工作量大,靶材不一定完全消耗,产生浪费,所制备的MgxZn1-xO薄膜化学计量比偏离MgxZn1-xO陶瓷靶材的化学计量比。本发明采用双靶共溅射制备方式,即在两个溅射靶上分别固定ZnO陶瓷靶材和MgO陶瓷靶材,分别提供溅射功率,同时分别溅射,在衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。本发明可应用于制备具有紫外探测、可见及紫外光发射作用的半导体光电功能材料MgxZn1-xO薄膜。
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