一种镓掺杂的氧化物透明导电薄膜材料的制备 方法,属于光电子信息
功能材料技术领域。在ZnO薄膜中进行 镓掺杂,用偏压射频磁控溅射技术在真空条件下,在有机聚合 物薄膜衬底上室温制备出具有多晶结构的ZnO∶Ga透明导电 膜,溅射用陶瓷靶组分为氧化锌和三氧化二镓,工艺条件为: 氩气分压0.5-5Pa,溅射功率50-200W,溅射偏压0~-100V。 制得薄膜的载流子浓度为1.2× 1021cm- 3,迁移率为 13.5cm2V- 1S-1,电阻率为 4.6×10-4Ωcm,方块电阻6.2 Ω/□,可见光范围的透过率超过83%。扣除有机材料衬底的 影响,在可见光范围内薄膜的平均透过率可以达到90%,性能 优于ZnO∶Al薄膜,因此在有机平板显示和有机光电子器件等 领域可以替代现有的透明导电膜材料。
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