本发明提供了一种CuI晶体的生长方法,属于光电
功能材料技术中的晶体生长领域。该方法采用低温水溶液降温法生长晶体,使用NH4Cl、NH4Br、NH4I等为助溶剂,铜片作为还原剂,石蜡油封,生长温区30-60℃,降温速率为0.1-0.5℃/day。本发明采用的降温法晶体生长技术具有生长温度低、溶液黏度低、装置简单易行、生长过程可以直接观察等优点,所生长的CuI晶体纯度高、均匀性好、尺寸大,因此作为新一代的超快闪烁晶体,有望在未来超高计数率电子、γ射线和X射线测量中发挥重要作用,同时还作为一种
半导体材料用作太阳能
电池材料、超导材料和光催化材料。
声明:
“大尺寸CuI晶体的生长方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)