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碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法

1127   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 15:00:02
本发明公开了一种碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法,铜底板上横向设置有多块DBC,多块DBC构成9个双向开关,DBC的功率回路通过功率端子引出,DBC上叠加设置有第一PCB板和第二PCB板,第一PCB板和第二PCB板通过引线键合的方式引出驱动端子,9个双向开关连接构成矩阵变换器的拓扑结构;本发明碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块具有体积小,寄生电感小,功率密度大的优点。
声明:
“碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块及其制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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