本发明公开了一种碳化硅MOSFET
芯片双向开关功率模块及其制备方法,铜底板上横向设置有多块DBC,多块DBC构成9个双向开关,DBC的功率回路通过功率端子引出,DBC上叠加设置有第一PCB板和第二PCB板,第一PCB板和第二PCB板通过引线键合的方式引出驱动端子,9个双向开关连接构成矩阵变换器的拓扑结构;本发明碳化硅MOSFET芯片双向开关功率模块具有体积小,寄生电感小,功率密度大的优点。
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