本发明一种合成高纯砷烷的方法,属于电子气体合成纯化技术领域;该方法包括步骤(1)、粗制砷烷的合成过程:先用砷粉和锌粉制成砷化锌,再与稀硫酸反应得到粗制砷烷;和(2)、高纯砷烷的纯化过程:对粗制砷烷采用液氮冷阱低温真空分离、分子筛吸附干燥和镓-铟合金深吸附脱水、氧。本发明所述的方法能深度脱除氧、水和二氧化碳等电子材料中有害杂质,一般可以达到0.01~0.1ppm以下;纯化剂主体镓-铟合金可以反复使用,使用寿命除化学处理稍许损失外,理论上具有很长的使用寿命。
声明:
“合成高纯砷烷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)