本发明涉及一种真空反应烧结高韧性碳化硅陶瓷的方法,其特征在于采用颗粒级配原料组成外加1~1.5%木质素磺酸钙结合剂先混和,然后与水混合配料、注浆成型、真空烧结最终制得SiC陶瓷,所制备的SiC材料的断裂韧性KIC可以在5~5.6MPa·m1/2范围内可调,相对于普通SiC-B-C或SiC-A/N无压烧结的KIC=3.0~4.5MPa·m1/2,提高了5%之多,适用于高温工业炉的使用,具有良好的商业价值。
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