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真空反应烧结高韧性碳化硅陶瓷的方法

664   编辑:管理员   来源:中冶有色技术网  
2023-03-18 14:58:54
本发明涉及一种真空反应烧结高韧性碳化硅陶瓷的方法,其特征在于采用颗粒级配原料组成外加1~1.5%木质素磺酸钙结合剂先混和,然后与水混合配料、注浆成型、真空烧结最终制得SiC陶瓷,所制备的SiC材料的断裂韧性KIC可以在5~5.6MPa·m1/2范围内可调,相对于普通SiC-B-C或SiC-A/N无压烧结的KIC=3.0~4.5MPa·m1/2,提高了5%之多,适用于高温工业炉的使用,具有良好的商业价值。
声明:
“真空反应烧结高韧性碳化硅陶瓷的方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究,如用于商业用途,请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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