本发明适用于半导体技术领域,提供了一种高纯大尺寸SIC晶体衬底材料的制备方法,包括以下步骤:S1、按一定化学计量比称量硅粉和碳粉,将它们混合均匀后加入到
石墨坩埚中;S2、在S1中的石墨坩埚中添加含有氯元素的先驱体并搅拌均匀;S3、将S2中的石墨坩埚放入真空烧结炉中后关炉,待真空抽至≤10
‑4Pa以后,再充入稀有气体至所需压强;S4、按一定升温速率进行升温至所需温度进行高温合成,待一段时间后降温后,停炉取出样品。本发明通过添加含氯元素的先驱体,实现厚膜外延材料,单层外延层厚度达80微米,突破厚膜生长的重复性、稳定性、一致性等产业化瓶颈共性技术,并且消除硅滴以及硅组分失配等外延缺陷。
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