本发明属于光电材料新能源技术领域,特别涉及一种制备铜铟硒溅射靶材的工艺。通过制备或市场购买Cu2Se粉末和In2Se3粉末,混合后在行星式球磨机中球磨,而后冷压成型,制得Cu2Se和In2Se3混合材料素坯,将此素坯置于密闭的真空烧结炉中,在H2保护气氛中,烧结,冷却后脱模,即得到铜铟硒靶材。所制得的靶材具有均一的铜铟硒相,相对密度达到95%以上。本发明具有工艺简便,效率高,成本低,稳定性好等优点,为制备铜铟硒吸收层薄膜的制备工艺提供了便捷和稳定的保证。
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