一种高压大功率逆变器模块,包括构成逆变器电路的六个内设续流二极管的功率MOS
芯片,其特殊之处是:所述的六个功率MOS芯片集成在一个管壳内,所述的管壳长度为26~30mm、宽度为20~26mm,在管壳底座上焊接有金属化陶瓷基板,在金属化陶瓷基板上焊接有钼片及可伐片,所述的功率MOS芯片通过真空烧结焊接在钼片上,各个功率MOS器件之间采用硅铝丝互连。优点是:管壳采用一体化设计,结构紧凑,占用空间小,特别是将功率MOS器件通过真空烧结焊接在钼片上,可实现低的空洞率,降低了芯片到管壳的热阻,提高了可靠性。
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