权利要求
1.光调制的微环谐振腔，其特征在于，包括：基底层（1）；微环谐振腔层，所述微环谐振腔层由可逆的相变材料薄膜（2）制成，所述微环谐振腔层包括直母线波导（4）、环形波导（5）、耦合区（6），在所述的相变材料薄膜（2）上通过外部激励信号直写刻画有直母线波导（4）和环形波导（5），所述的直母线波导（4）和环形波导（5）通过耦合区（6）耦合；包层薄膜层，所述包层薄膜层由包层薄膜（3）制成。
2.根据权利要求1所述的光调制的微环谐振腔，其特征在于，所述的环形波导（5）的折射率＞所述的直母线波导（4）的折射率＞未设有波导区域的相变材料薄膜（2）的折射率＞所述的基底层（1）和所述的包层薄膜（3）折射率。
3.根据权利要求2所述的光调制的微环谐振腔，其特征在于，所述的环形波导（5）的折射率比直母线波导（4）的折射率大0.1~0.5。
4.根据权利要求2所述的光调制的微环谐振腔，其特征在于，所述的直母线波导（4）包括左侧直波导（41）、弧形波导（42）和右侧直波导（43）；所述的弧形波导（42）的两端分别与左侧直波导（41）和右侧直波导（43）连接，所述的弧形波导（42）与环形波导（5）耦合，弧形波导（42）与环形波导（5）共同构成耦合区（6）。
5.根据权利要求4所述的光调制的微环谐振腔，其特征在于，所述的弧形波导（42）与环形波导（5）具有共同的圆心。
6.根据权利要求4所述的光调制的微环谐振腔，其特征在于，所述的弧形波导（42）所对应的扇形的圆心角为30°；所述的环形波导（5）的半径值为20um~200um。
7.根据权利要求5所述的光调制的微环谐振腔，其特征在于，所述的环形波导（5）与弧形波导（42）之间的间隙为100nm ~800nm。
8.根据权利要求1至7任一项所述的光调制的微环谐振腔，其特征在于，光信号从左侧直波导（41）输入，并在耦合区（6）中通过倏逝波耦合，光信号通过耦合进入到环形波导（5）中，并沿着逆时针方向进行传输；当倏逝波满足在环形波导（5）内传输一周产生2π的相移时，在环形波导（5）的环中发生谐振，此时环形波导（5）的半径满足表达式：2πRneff=mλ，其中，neff为波导的有效折射率，R为环形波导（5）的半径，λ为光波的波长；m指波长的整数倍
声明：
“光调制的微环谐振腔及制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：中山大学
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2025年05月23日 ~ 25日 
