权利要求
1.烧结钕铁硼磁体表面Al薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1：磁体预处理：采用激光清洗方法对烧结钕铁硼磁体进行表面预处理，并用惰性气体及时将污物吹离磁体表面；
S2：真空蒸镀Al薄膜的制备：在真空蒸镀装置中，通过采用真空蒸镀工艺在预处理后的磁体表面沉积一层Al薄膜；
S3：激光重熔处理：采用激光重熔技术对磁体表面沉积的Al薄膜进行改性处理，提高Al薄膜的致密度以及与基体之间的结合力。
2.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体表面Al薄膜的制备方法，其特征在于：所述S1中磁体预处理，采用激光清洗方法对烧结钕铁硼磁体表面进行预处理，以去除磁体表面的油污及氧化皮，所述激光清洗的工艺参数包括：激光功率为100～2500W，激光束波长为1064nm，脉冲宽度为50～300ns，激光扫描速度为5～150mm/s，激光入射角为20～90°；所述S1中磁体预处理，使用惰性气体及时将激光清洗后的污物吹离磁体表面，避免清洁表面再次污染和氧化，所述惰性气体为氩气、氦气中的一种。
3.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体表面Al薄膜的制备方法，其特征在于：所述S2真空蒸镀Al薄膜的制备，采用真空蒸镀工艺在预处理后的磁体表面沉积一层Al薄膜，所述真空蒸镀的工艺参数包括真空度为1×10-3～5×10-3Pa，蒸发电流为2000～2900A，真空蒸镀时间为50～80min。
4.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体表面Al薄膜的制备方法，其特征在于：所述S3激光重熔处理，采用激光重熔技术对磁体表面沉积的Al薄膜进行改性处理，提高Al薄膜的致密度以及与基体之间的结合力；所述激光重熔的工艺参数包括：激光功率为1000～3000W，扫描速度为5～15mm/s，光斑尺寸为2～5mm，搭接系数为5％～20％，并充入惰性气体作为保护气，所述惰性气体为氩气或氦气中的一种。
5.根据权利要求1所述的烧结钕铁硼磁体表面Al薄膜的制备方法，其特征在于：所述真空蒸镀装置包括有外壳(1)、坩埚(2)和调节夹具(3)；所述外壳(1)的内部靠近外壳(1)的底面位置固连有坩埚(2)，且坩埚(2)的内部用于放置蒸发材料；所述外壳(1)的内部于坩埚(2)的顶部位置设有调节夹具(3)；所述调节夹具(3)包括有推杆(4)、电机(5)和转
声明：
“烧结钕铁硼磁体表面Al薄膜的制备方法” 该技术专利(论文)所有权利归属于技术(论文)所有人。仅供学习研究，如用于商业用途，请联系该技术所有人。
我是此专利(论文)的发明人(作者)
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编辑：中冶有色网
来源：北矿磁材（阜阳）有限公司
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2025年05月23日 ~ 25日 
